BSC080P03LS G دیتاشیت

BSC080P03LS G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSC080P03LS G
حجم فایل 60.779 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت BSC080P03LS G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSC080P03LS G
  • Power Dissipation (Pd): 2.5W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 16A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.2V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8mΩ@10V,30A
  • Package: TDSON-8(6x5)
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه